英國普萊塞半導(dǎo)體（Plessey Semiconductors）宣布推出其基于硅基氮化鉀制造平臺的產(chǎn)品。新產(chǎn)品在420mA的條件下可以提供350mW的輻射功率。

早在今年4月，普萊思就宣布將推出可論證硅基氮化鎵技術(shù)的PL111010LED產(chǎn)品，這些新型LED產(chǎn)品可通過高達1A的連續(xù)電流和2A的脈沖電流進行驅(qū)動。新產(chǎn)品的功率也高于此前普萊塞的硅基LED設(shè)備，可用于一般的固態(tài)照明領(lǐng)域。

雖然目前尚無法得知普萊思為何僅推出此新型LED設(shè)計的藍(lán)色版本，可以肯定的是該設(shè)備可用于遠(yuǎn)程磷光體應(yīng)用。435–460nm主波長范圍類似于主要LED制造商針對遠(yuǎn)程SSL產(chǎn)品推出的寶藍(lán)色LED；該公司并未表示接下來是否會推出此新型LED的白色磷光體轉(zhuǎn)換版本。

GaN-on-Si的魅力在于，利用更低廉、普遍可用的硅晶片和自動化后端制造工具，可以生產(chǎn)出成本更低的LED。

普萊塞首席運營官巴里·丹寧頓（Barry Dennington）表示，“新型350mW產(chǎn)品驗證了我們在集成電路生產(chǎn)線上制造6英寸硅基氮化鎵LED的固有靈活性。我們的產(chǎn)品在輸出效率上取得了持續(xù)改進，未來我們將推出更多更優(yōu)質(zhì)的新產(chǎn)品”。