1前言

　　采用寬帶隙的非晶硅作為窗口層或發(fā)射極，單晶硅或多晶硅片作襯底，形成了非晶硅／晶體硅異質結太陽電池，稱為HIT（heterojunction with intrinsic thin-layer）太陽電池。它可以同時實現(xiàn)pn結和優(yōu)異的表面鈍化，并且所有工藝可在低溫（《200℃）下完成，既減少了能耗，又能避免硅片在高溫處理過程中可能產(chǎn)生的性能退化。由于這種電池既利用了薄膜制造工藝優(yōu)勢同時又發(fā)揮了晶體硅和非晶硅的材料性能特點，具有實現(xiàn)高效低成本硅太陽電池的發(fā)展前景，成為光伏能源領域的一個研究熱點。

　　本文通過分析測試HIT太陽電池制備過程中硅片表面的一些鈍化技術對少數(shù)載流子壽命的影響，來研究鈍化效果，摸索出提高電池效率的途徑，并結合背電場工藝，研制出高效率的HIT太陽電池。

　　2實驗

　　實驗中我們選用的襯底為n型單面拋光直拉單晶硅片。首先對硅片進行嚴格的化學清洗。然后通過改變鈍化方法和工藝條件分別進行對比實驗，測試硅表面的少子壽命，測試儀是采用SEMLABWT一1000型的微波光電導衰減儀（μ一PCD）。采用射頻等離子體輔助化學氣相沉積（RF-PECVD）技術沉積非晶硅薄膜，在優(yōu)化鈍化條件的情況下，制備出完整的HIT電池樣品，電池的結構為Ag／n-c-Si／i-a-Si：H／p-a-Si：H／ITO。電池的卜V特性在太陽模擬光源AMl．5光照條件（1000w／m2），25℃下測得。采用標定過的Si探測器為參考樣品，通過量子效率（QE）測試儀得到太陽電池的光譜響應。

　　3結果與分析

　　3．1硅表面鈍化及對電池性能的影響

　　（1）化學預處理及其鈍化作用

圖1 硅片少子壽命隨HF溶液處理時間的變化曲線

　　圖1是硅片少子壽命隨不同HF溶液處理時間的變化曲線，可以看出用HF溶液處理后的硅片少子壽命均有提高，說明一定濃度的HF溶液能有效去除硅片表面的氧化層，提高載流子壽命。其中處理lmin后測得的少子壽命最高，并且HF溶液處理時間不宜過長，當Time》1min后，隨著時間的增長少子壽命會有所下降，說明長時間的HF溶液腐蝕可能會破壞硅表面結構。

　　（2）H處理及其鈍化作用

圖2 硅片少子壽命隨H處理時間的變化曲線

　　圖2所示為硅片少子壽命隨不同H等離子處理時間的變化曲線，可以看出對襯底進行一定時間的H處理（《25s）后少子壽命都有提高，其中最佳H處理時間為20s，此時少子壽命值相對于原始裸片增加了11．35“s，適當時間的H處理可鈍化硅片表面的懸掛鍵，同時刻蝕掉了硅表面的氧化層，有效改善界面，然而過長時間的H等離子處理會對硅片表面造成損傷，引起表面缺陷的增加，相應的也降低了其少子壽命。