（C）鈍化發射區和背面局部擴散電池（PERL）：在背面接觸點下增加一個濃硼擴散層，以減小金屬接觸電阻。由于硼擴散層減小了有效表面復合，接觸點問距可以減小到250µm、接觸孔徑減小到10µm而不增加背表面的復合，從而大大減小了電池的串聯電阻。PERL電池達到了702mV的開路電壓和23．5％的效率。PERC和PER1。電池的另一個特點是其極好的陷光效應。由于硅是間接帶隙半導體，對紅外的吸收系數很低，一部分紅外光可以穿透電池而不被吸收。理想情況下入射光可以在襯底材料內往返穿過4n2次，n為硅的折射率。PER1。電池的背面，由鋁在SiO2上形成一個很好反射面，入射光在背表面上反射回正表面，由于正表面的倒金字塔結構，這些反射光的一大部分又被反射回襯底，如此往返多次。Sandia國家實驗室的P。Basore博士發明了一種紅外分析的方法來測量陷光性能，測得PERL電池背面的反射率大于95％，陷光系數大于往返25次。因此PREL電池的紅外響應極高，也特別適應于對單色紅外光的吸收。在1．02µm波長的單色光下，PER1。電池的轉換效率達到45．1％。這種電池AM0下效率也達到了20.8％。

　　（D）埋柵電池：UNSW開發的激光刻槽埋柵電池，在發射結擴散后，用激光在前面刻出20µm寬、40µm深的溝槽，將槽清洗后進行濃磷擴散。然后在槽內鍍出金屬電極。電極位于電池內部，減少了柵線的遮蔽面積。電池背面與PESC相同，由于刻槽會引進損傷，其性能略低于PESC電池。電池效率達到19.6％。

　　（2）斯但福大學的背面點接觸電池（PCC）

　　點接觸電池的結構與PER1。電池一樣，用TCA生長氧化層鈍化電池正反面。為了減少金屬條的遮光效應，金屬電極設計在電池的背面。電池正面采用由光刻制成的金字塔（絨面）結構。位于背面的發射區被設計成點狀，50µm間距，10µm擴散區，5µm接觸孔徑，基區也作成同樣的形狀，這樣可減小背面復合。襯底采用n型低阻材料（取其表面及體內復合均低的優勢），襯底減薄到約100µm，以進一步減小體內復合。這種電池的轉換效率在AM1．5下為22.3％。

　　（3）德國Fraunhofer太陽能研究所的深結局部背場電池（LBSF）

　　LBSF的結構與PERL電池類似，也采用TCA氧化層鈍化和倒金字塔正面結構。由于背面硼擴散一般造成高表面復合，局部鋁擴散被用來制作電池的表面接觸，2cm*2cm電池電池效率達到23.3％（Voc=700mV，Isc－～41.3mA，FF一0.806）。

　　（4）日本sHARP的C一Si／µc-Si異質pp+結高效電池

　　SHARP公司能源轉換實驗室的高效電池，前面采用絨面織構化，在SiO2鈍化層上沉積SiN為A只乙后面用RF-PECVD摻硼的µc一Si薄膜作為背場，用SiN薄膜作為后表面的鈍化層，Al層通過SiN上的孔與µcSi薄膜接觸。5cmX5cm電池在AM1．5條件下效率達到21.4％（Voc＝669mV，Isc＝40.5mA，FF=0.79）。

　　（5）我國單晶硅高效電池

　　天津電源研究所在國家科委“八五”計劃支持下開展高效電池研究，其電池結構類似UNSw的V型槽PEsC電池，電池效率達到20.4％。北京市太陽能研究所“九五”期間在北京市政府支持下開展了高效電池研究，電池前面有倒金字塔織構化結構，2cmX2cm電池效率達到了19.8％，大面（5cmX5cm）激光刻槽埋柵電池效率達到了18.6％。

　　多晶硅高效電池

　　多晶硅太陽電池的出現主要是為了降低成本，其優點是能直接制備出適于規模化生產的大尺寸方型硅錠，設備比較簡單，制造過程簡單、省電、節約硅材料，對材質要求也較低。晶界及雜質影響可通過電池工藝改善；由于材質和晶界影響，電池效率較低。電池工藝主要采用吸雜、鈍化、背場等技術。

　　近年來吸雜工藝再度受到重視，包括三氯氧磷吸雜及鋁吸雜工藝。吸雜工藝也在微電子器件工藝中得到應用，可見其對純度達到一定水平的單晶硅硅片也有作用，但其所用的條件未必適用于太陽電池，因而要研究適合太陽電池專用的吸雜工藝。研究證明，在多晶硅太陽電池上，不同材料的吸雜作用是不同的，特別是對碳含量高的材料就顯不出磷吸雜的作用。有學者提出了磷吸雜模型，即吸雜的速率受控干兩個步驟：①金屬雜質的釋放／擴散決定了吸雜溫度的下限；②分凝模型控制了吸雜的最佳溫度。另有學者提出，在磷擴散時硅的自間隙電流的產生是吸雜機制的基本因素。